In掺杂浓度对ZnO薄膜结构、光学及电学特性的影响

王冬

重庆师范大学物理与电子工程学院

摘　要

借助射频磁控溅射法在石英衬底上制备了In掺杂ZnO薄膜(ZnO:In),研究了In掺杂浓度对薄膜结构、光学及电学性能的影响。结果表明:所有ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,都有较高的光学透过率(高于85%);In掺杂会降低薄膜生长率和结晶质量;随着In掺杂浓度的上升,ZnO薄膜的载流子浓度不断提高,禁带宽度不断增加。

关键词

ZnO:In薄膜；In含量；结晶质量；BM效应

分类号

TQ132.41；TB383.2

栏　目

试验研究

出　处

《冶金与材料》2019年第1期，第 55+57 页（共 2 页）

出版日期

2019-02-15

知网数据

下载 126 次，被引 2 次（截至 2026-09-29）

知网全文（电脑版） 知网公开页

“知网全文（电脑版）”需登录中国知网或在已订购知网的机构 IP 内访问；“知网公开页”无需登录即可查看摘要，并可按知网规定下载全文。