非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长分析

杨琳

厦门大学嘉庚学院

摘　要

为解决以往侧向外延生长、侧壁横向外延生长等方法存在的缺陷问题,文章借鉴前人研究成果提出一种选用钛图形化r面蓝宝石衬底直接外延GaN的生长方法,先在衬底表面制备一层钛掩膜,再在孔洞内选择性外延GaN,由此改善GaN表面与晶体的质量,降低各向异性,并且成功制备出高质量、平整的a面GaN薄膜。通过观察SEM、RSMs与Raman测试结果可知,该方法能够有效减小合并厚度、降低工艺成本,具备良好适用价值。

关键词

非极性GaN；r面蓝宝石；成核过程；各向异性

分类号

TN304.054

栏　目

试验研究

出　处

《冶金与材料》2021年第3期，第 49-50 页（共 2 页）

出版日期

2021-06-15

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