温度状态对氮化铝晶体生长的影响

范国峰

哈尔滨化兴软控科技有限公司；哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司

摘　要: 经过数十年的研究，PVT法被认为是制备高质量、大尺寸AIN晶体的最有效方法，并逐渐成为AIN单晶制备的主流工艺。但受测试手段所限，无法直观地观测晶体生长期间各种条件状态，难以及时反馈并进行工艺调整。又因为在晶体生长过程中，炉内的温度状态分布对晶体生长起着决定性的作用，直接影响晶体的生长状态。在此研究中，采用数值模拟方法对炉体加热器尺寸、坩埚与加热器相对位置的温度分布和梯度、保温状态变化进行建模和研究。通过调整以上热场状态，得到不同的温度状态，探讨不同温度状态对晶体生长状态的影响，并根据模拟结果选择最佳方案。研究结果证明了仿真方案的可行性，并得到了实验数据的支持。
关键词: 氮化铝晶体；数值模拟；温度分布；梯度；生长速率
基金项目: 黑龙江省自然科学基金杰出青年项目（JQ2019E003）；2019年度黑龙江省支持重大科技成果转化项目（CG20A008）
分类号: TQ133.1；O782
栏　目: 试验研究
出　处: 《冶金与材料》2023年第7期，第 30-33 页（共 4 页）
出版日期: 2023-07-28
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