氧化铝缓冲层对富硅二氧化硅薄膜结构和发光性能的影响

张培明

济南工程职业技术学院

摘　要

文章利用激光分子束外延方法在单晶Si(100）基片上，100℃状态下生长了有氧化铝缓冲层和无缓冲层的薄膜，并在700℃、900℃、1100℃下进行了退火处理。通过XRD、荧光光度计，结合相关理论研究了薄膜结构和发光性能。结果表明，衍射峰出现了左移，随着退火温度增加Si(200）、（220）、（311）和SiO_2(022）衍射峰增强，各晶粒的结晶度和取向性变好，用325nm光源对未退火样品激发，与无缓冲层样品相比，发光峰位没有改变，但发光强度明显增强，研究表明这是原薄膜发光与Al_2O_3缓冲层发光叠加的结果。

关键词

氧化铝缓冲层；薄膜结构；发光性能

分类号

TB383.2

栏　目

试验研究

出　处

《冶金与材料》2025年第7期，第 9-11 页（共 3 页）

出版日期

2025-07-28

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